特征

• 宽输入电压：5V~18V
• 从存储到 VIN 的释放电流高达 2A
• 300mA 充电电流限制
• 开漏死 GASP 标志指示器
• 可编程存储和释放电压
• SOP8 封装

一般说明

TMI5111 是一款带有内部功率 MOSFET 和二极管的垂死喘息存储和释放控制器 IC。它提供了一个非常紧凑的解决方案，以减少存储电容器并在输入断电时保持相同的释放时间。在正常上电期间，它会提升输入电压和以约 300mA 的限流给存储电容充电。当充电电压达到 FB1 设置的选定电压时，停止充电并保持电压，直到检测到由 FB2 设置的低输入电压。TMI5111 从存储电容释放电荷到输入电容，限流2A左右。存储和释放电压可以由用户在FB1脚和FB2脚外接不同的分压电阻进行编程。
TMI5111 需要最少数量的现成标准外部组件，并且采用 SOP8 封装。

应用

• 网关、AP 网络
• DSL/PON/有线调制解调器